maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTQ470P2
Référence fabricant | IXTQ470P2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTQ470P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarP2™ |
IXTQ470P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 42A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 145 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 88nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 830W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTQ470P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTQ470P2-FT |
IXTP2N100
IXYS
IXTP2N100P
IXYS
IXTP2N60P
IXYS
IXTP2N80
IXYS
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A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
5SGXMA7N1F40C2N
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5SGXEA7N1F45I2N
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5SGXMB5R1F43C1N
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EP4CGX15BF14I7N
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XC2VP7-6FF672I
Xilinx Inc.
LFE3-150EA-6FN1156I
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