maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTP1R6N50D2
Référence fabricant | IXTP1R6N50D2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTP1R6N50D2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTP1R6N50D2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTP1R6N50D2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTP1R6N50D2-FT |
IXTH102N15T
IXYS
IXTH102N20T
IXYS
IXTH102N25T
IXYS
IXTH10N100D
IXYS
IXTH10P50
IXYS
IXTH120N15T
IXYS
IXTH12N100
IXYS
IXTH12N100L
IXYS
IXTH12N100Q
IXYS
IXTH12N120
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel