maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTK21N100
Référence fabricant | IXTK21N100 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTK21N100 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MegaMOS™ |
IXTK21N100 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1000V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 21A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 550 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 500µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 250nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 8400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 500W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 (IXTK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK21N100 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTK21N100-FT |
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IXYS
IXFK36N60P
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XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel