maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTK160N20
Référence fabricant | IXTK160N20 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTK160N20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | MegaMOS™ |
IXTK160N20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 160A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 415nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 12900pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 730W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264 (IXTK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTK160N20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTK160N20-FT |
IXFK32N90P
IXYS
IXFK34N80
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LCMXO2-640HC-6TG100I
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XA3S400A-4FTG256I
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A54SX72A-1FG484M
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SE530H35C4N
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
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