maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTH6N90
Référence fabricant | IXTH6N90 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTH6N90 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTH6N90 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 900V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2600pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 180W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 (IXTH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH6N90 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTH6N90-FT |
IXTH300N04T2
IXYS
IXTH30N50P
IXYS
IXTH32N65X
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IXTH32P20T
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IXTH36P15P
IXYS
IXTH3N100P
IXYS
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel