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IXYS IXTH6N100D2

Numéro de pièce MFG
IXTH6N100D2
quantité disponible
44120 Pièces
Prix de référence
USD 5.04
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1000V 6A TO247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTH6N100D2.pdf
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IXTH6N100D2 Caractéristiques

Référence fabricant IXTH6N100D2
Numéro de pièce future FT-IXTH6N100D2
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTH6N100D2 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 95nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 25V
Caractéristique FET Depletion Mode
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247 (IXTH)
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTH6N100D2 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTH6N100D2-FT

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