maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTH16N50D2
Référence fabricant | IXTH16N50D2 |
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Numéro de pièce future | FT-IXTH16N50D2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXTH16N50D2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 16A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 8A, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 199nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5250pF @ 25V |
Caractéristique FET | Depletion Mode |
Dissipation de puissance (max) | 695W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTH16N50D2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTH16N50D2-FT |
IXFR180N15P
IXYS
IXFR21N100Q
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IXFR24N100
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
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XC6SLX9-L1FT256C
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LCMXO3LF-1300E-5MG121I
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5CGXFC7C6U19A7N
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