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IXYS IXTF6N200P3

Numéro de pièce MFG
IXTF6N200P3
quantité disponible
34020 Pièces
Prix de référence
USD 17.272
Notre prix
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Date d'expédition
Nous pouvons expédier aujourd'hui
fabricant
IXYS
Brève description
Polar™ MOSFET N-CH
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IXTF6N200P3 Caractéristiques

Référence fabricant IXTF6N200P3
Numéro de pièce future FT-IXTF6N200P3
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Polar™
IXTF6N200P3 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 2000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3700pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 215W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur ISOPLUS i4-PAC™
Paquet / caisse ISOPLUSi5-Pak™
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTF6N200P3 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTF6N200P3-FT

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