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IXTA2N80P Image

IXYS IXTA2N80P

Numéro de pièce MFG
IXTA2N80P
quantité disponible
10730 Pièces
Prix de référence
USD 0.8736
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
PolarHV™ MOSFET N-CH 800V 2A TO-263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTA2N80P.pdf
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IXTA2N80P Caractéristiques

Référence fabricant IXTA2N80P
Numéro de pièce future FT-IXTA2N80P
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries PolarHV™
IXTA2N80P Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Last Time Buy
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 440pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 70W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263 (IXTA)
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA2N80P Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA2N80P-FT

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