maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXTA2N80P
Référence fabricant | IXTA2N80P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXTA2N80P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXTA2N80P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Last Time Buy |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 50µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 70W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (IXTA) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXTA2N80P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXTA2N80P-FT |
IXFA7N80P
IXYS
IXFA80N25X3
IXYS
IXFA8N50P3
IXYS
IXTA02N250HV
IXYS
IXTA05N100
IXYS
IXTA08N100P
IXYS
IXTA08N120P
IXYS
IXTA100N04T2
IXYS
IXTA110N12T2
IXYS
IXTA120N04T2
IXYS
LFEC3E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX24-3PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XCS40-4BG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3CSG324C
Xilinx Inc.
APA750-FGG676I
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFX125EB-03F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B7U15C8N
Intel