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IXTA05N100HV Image

IXYS IXTA05N100HV

Numéro de pièce MFG
IXTA05N100HV
quantité disponible
79010 Pièces
Prix de référence
USD 2.688
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
- MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXTA05N100HV.pdf
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IXTA05N100HV Caractéristiques

Référence fabricant IXTA05N100HV
Numéro de pièce future FT-IXTA05N100HV
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IXTA05N100HV Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 750mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 260pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 40W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-263
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXTA05N100HV Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXTA05N100HV-FT

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