maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXSR35N120BD1
Référence fabricant | IXSR35N120BD1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXSR35N120BD1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXSR35N120BD1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 140A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.6V @ 15V, 35A |
Puissance - Max | 250W |
Énergie de commutation | 5mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 120nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 36ns/160ns |
Condition de test | 960V, 35A, 2.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 40ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | ISOPLUS247™ |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSR35N120BD1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXSR35N120BD1-FT |
IXST30N60B2D1
IXYS
IXST30N60BD1
IXYS
IXST30N60C
IXYS
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IXYS
XC3S50A-5TQG144C
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LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG676C
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A54SX16-VQG100I
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5SGXMA5N1F40C2N
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