maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXSQ20N60B2D1
Référence fabricant | IXSQ20N60B2D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXSQ20N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXSQ20N60B2D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 35A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 16A |
Puissance - Max | 190W |
Énergie de commutation | 380µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 33nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 30ns/116ns |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 30ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXSQ20N60B2D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXSQ20N60B2D1-FT |
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