maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXKC25N80C
Référence fabricant | IXKC25N80C |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXKC25N80C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IXKC25N80C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 25A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 18A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4600pF @ 25V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS220™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS220™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXKC25N80C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXKC25N80C-FT |
STFU13N60M2
STMicroelectronics
STFU18N60M2
STMicroelectronics
STFW24NM60N
STMicroelectronics
STI18N60M2
STMicroelectronics
STI20N60M2-EP
STMicroelectronics
STL10HN65M2
STMicroelectronics
STL28N60DM2
STMicroelectronics
STL28N60M2
STMicroelectronics
STL3N65M2
STMicroelectronics
STL3N80K5
STMicroelectronics
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel