maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGX60N60B2D1
Référence fabricant | IXGX60N60B2D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGX60N60B2D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFAST™ |
IXGX60N60B2D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 500W |
Énergie de commutation | 1mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 170nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 28ns/160ns |
Condition de test | 400V, 50A, 3.3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGX60N60B2D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGX60N60B2D1-FT |
IXBA14N300HV
IXYS
IXGA20N120A3
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
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EP20K300EQC240-2X
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