maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGT50N90B2D1
Référence fabricant | IXGT50N90B2D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGT50N90B2D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFAST™ |
IXGT50N90B2D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 900V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 400W |
Énergie de commutation | 4.7mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 135nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 20ns/350ns |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGT50N90B2D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGT50N90B2D1-FT |
IXGK72N60B3H1
IXYS
IXGK72N60C3H1
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XC2S50-6PQG208C
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Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-CSG281I
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Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
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