maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGT35N120B
Référence fabricant | IXGT35N120B |
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Numéro de pièce future | FT-IXGT35N120B |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFAST™ |
IXGT35N120B Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 140A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.3V @ 15V, 35A |
Puissance - Max | 300W |
Énergie de commutation | 3.8mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 170nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 50ns/180ns |
Condition de test | 960V, 35A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGT35N120B Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGT35N120B-FT |
IXGK50N60AU1
IXYS
IXGK50N60B
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IXGK50N60B2D1
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IXGK50N60BD1
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IXYS
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
LFE2-12E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG676C
Xilinx Inc.
A54SX16-VQG100I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4N
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5SGXMA5N1F40C2N
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5SGSMD5K2F40C1
Intel
A42MX16-2TQ176
Microsemi Corporation
EP2AGX125EF29C6
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EP4SGX70HF35I3N
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