maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGR55N120A3H1
Référence fabricant | IXGR55N120A3H1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGR55N120A3H1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™ |
IXGR55N120A3H1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 330A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 55A |
Puissance - Max | 200W |
Énergie de commutation | 5.1mJ (on), 13.3mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 185nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 23ns/365ns |
Condition de test | 960V, 55A, 3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 200ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGR55N120A3H1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGR55N120A3H1-FT |
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