maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGQ170N30PB
Référence fabricant | IXGQ170N30PB |
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Numéro de pièce future | FT-IXGQ170N30PB |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Polar™ |
IXGQ170N30PB Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 170A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 85A |
Puissance - Max | 330W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 143nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGQ170N30PB Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGQ170N30PB-FT |
IXSH30N60CD1
IXYS
IXSH30N60U1
IXYS
IXSH35N100A
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IXSH35N120A
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IXSH45N100
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LCMXO2-640HC-5TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4FG676I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C3N
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5SGSMD5K1F40C2LN
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5SGXEB6R2F40C3
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Lattice Semiconductor Corporation
EP1AGX20CF780C6
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