maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGQ120N30TCD1
Référence fabricant | IXGQ120N30TCD1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGQ120N30TCD1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IXGQ120N30TCD1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | Trench |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 300V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 120A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | - |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | - |
Puissance - Max | - |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | - |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-3P-3, SC-65-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-3P |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGQ120N30TCD1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGQ120N30TCD1-FT |
IXSH30N60B2D1
IXYS
IXSH30N60BD1
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IXSH30N60C
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XC3030L-8VQ64C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC144-2
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EX64-TQG100
Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
A54SX32A-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484I6G
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10M08DCF256C8G
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Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R3F40I2SGES
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EP1S40B956C7
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