maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGJ40N60C2D1
Référence fabricant | IXGJ40N60C2D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGJ40N60C2D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFAST™ |
IXGJ40N60C2D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 200A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 300W |
Énergie de commutation | 200µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 95nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 18ns/90ns |
Condition de test | 400V, 30A, 3 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 25ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3, Short Tab |
Package d'appareils du fournisseur | TO-268 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGJ40N60C2D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGJ40N60C2D1-FT |
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