maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXGH30N120B3D1
Référence fabricant | IXGH30N120B3D1 |
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Numéro de pièce future | FT-IXGH30N120B3D1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | GenX3™ |
IXGH30N120B3D1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | PT |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1200V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | - |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 150A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 300W |
Énergie de commutation | 3.47mJ (on), 2.16mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 87nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 16ns/127ns |
Condition de test | 960V, 30A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXGH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXGH30N120B3D1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXGH30N120B3D1-FT |
IXGA7N60B
IXYS
IXGA7N60BD1
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
A42MX24-3PQG160I
Microsemi Corporation
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EP20K400ERI240-3
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