maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFX55N50F
Référence fabricant | IXFX55N50F |
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Numéro de pièce future | FT-IXFX55N50F |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerRF™ |
IXFX55N50F Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 55A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 27.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX55N50F Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFX55N50F-FT |
IXTA4N80P
IXYS
IXTA50N20P
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ICE40UP5K-SG48I
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XC3S250E-5PQ208C
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10CL010ZU256I8G
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5SGXMA7K2F40I3
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APA075-FGG144
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10AX066N2F40I2SGES
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EPF10K50VBC356-2N
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