maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFX26N120P
Référence fabricant | IXFX26N120P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFX26N120P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarP2™ |
IXFX26N120P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500 mOhm @ 13A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 6.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 225nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 16000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 960W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS247™-3 |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFX26N120P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFX26N120P-FT |
IXFA6N120P TRL
IXYS
IXTA02N250
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel