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Référence fabricant | IXFV26N60P |
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Numéro de pièce future | FT-IXFV26N60P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | PolarHV™ |
IXFV26N60P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 26A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4150pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 460W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PLUS220 |
Paquet / caisse | TO-220-3, Short Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFV26N60P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFV26N60P-FT |
IXFE48N50Q
IXYS
IXFE48N50QD2
IXYS
IXFE48N50QD3
IXYS
IXFE50N50
IXYS
IXFE55N50
IXYS
IXFE73N30Q
IXYS
IXFE80N50
IXYS
IXFN100N10S1
IXYS
IXFN100N10S2
IXYS
IXFN100N10S3
IXYS
XCV1000E-8FG900C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
Intel
5SGXMA7K3F40C3
Intel
XC4020E-2HQ208I
Xilinx Inc.
5AGXMA7G4F35I5N
Intel
EPF8820QC160-4
Intel