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IXYS IXFT23N60Q

Numéro de pièce MFG
IXFT23N60Q
quantité disponible
98420 Pièces
Prix de référence
USD 8.976
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 23A TO-268D3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXFT23N60Q.pdf
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IXFT23N60Q Caractéristiques

Référence fabricant IXFT23N60Q
Numéro de pièce future FT-IXFT23N60Q
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFT23N60Q Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 23A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 320 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 400W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur TO-268
Paquet / caisse TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFT23N60Q Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFT23N60Q-FT

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