maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFR180N06
Référence fabricant | IXFR180N06 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFR180N06 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFR180N06 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 180A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 90A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 420nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 7650pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS247™ |
Paquet / caisse | ISOPLUS247™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFR180N06 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFR180N06-FT |
IXFX55N50
IXYS
IXFX78N50P3
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XC4005E-2TQ144I
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5SGSMD4K2F40I3LN
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EP3SE260F1152I4N
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