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IXYS IXFR12N100Q

Name: IXFR12N100Q
Brand: IXYS
SKU: IXFR12N100Q
Price: 12.950136 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (750 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFR12N100Q

quantité disponible: 11450 Pièces

Prix de référence: USD 12.950136

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFR12N100Q.pdf

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IXFR12N100Q Caractéristiques

Référence fabricant	IXFR12N100Q
Numéro de pièce future	FT-IXFR12N100Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFR12N100Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.1 Ohm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2900pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	250W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	ISOPLUS247™
Paquet / caisse	ISOPLUS247™
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFR12N100Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFR12N100Q-FT

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