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Référence fabricant | IXFP90N20X3M |
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Numéro de pièce future | FT-IXFP90N20X3M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFP90N20X3M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 90A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 78nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5420pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 36W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220 Isolated Tab |
Paquet / caisse | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP90N20X3M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFP90N20X3M-FT |
IXTH102N20T
IXYS
IXTH102N25T
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IXTH12N90
IXYS
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel