maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFP3N120
Référence fabricant | IXFP3N120 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFP3N120 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFP3N120 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1.5mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1050pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFP3N120 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFP3N120-FT |
IXTH182N055T
IXYS
IXTH1N100
IXYS
IXTH200N075T
IXYS
IXTH200N085T
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IXTH20N60
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IXTH220N075T
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IXTH230N085T
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IXTH240N055T
IXYS
IXTH24N50L
IXYS
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel