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IXYS IXFP180N10T2

Name: IXFP180N10T2
Brand: IXYS
SKU: IXFP180N10T2
Price: 3.024 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (245 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFP180N10T2

quantité disponible: 79210 Pièces

Prix de référence: USD 3.024

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™ MOSFET N-CH 100V 180A TO-220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFP180N10T2.pdf

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IXFP180N10T2 Caractéristiques

Référence fabricant	IXFP180N10T2
Numéro de pièce future	FT-IXFP180N10T2
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
IXFP180N10T2 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	185nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	10500pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	480W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFP180N10T2 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFP180N10T2-FT

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