maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFN210N30X3
Référence fabricant | IXFN210N30X3 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN210N30X3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFN210N30X3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 300V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 210A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 105A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 375nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 24200pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 695W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN210N30X3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN210N30X3-FT |
IXFH150N17T
IXYS
IXFH150N17T2
IXYS
IXFH15N100
IXYS
IXFH15N100Q
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IXYS
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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