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Référence fabricant | IXFN106N20 |
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Numéro de pièce future | FT-IXFN106N20 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFN106N20 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 200V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 106A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 380nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9000pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 521W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package d'appareils du fournisseur | SOT-227B |
Paquet / caisse | SOT-227-4, miniBLOC |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFN106N20 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFN106N20-FT |
IXFH14N100
IXYS
IXFH14N80
IXYS
IXFH150N15P
IXYS
IXFH150N17T
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IXFH15N60
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IXFH15N80
IXYS
IXFH160N15T
IXYS
XC6SLX100T-N3FG900C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
EP2A40F672C7
Intel
EP3SL200F1517C4
Intel
XC7A200T-2FB484I
Xilinx Inc.
XC6VCX195T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10LC84-4
Intel
EPF81188ARC240-2
Intel
EP1C12Q240C7
Intel