maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFK120N25
Référence fabricant | IXFK120N25 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFK120N25 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFK120N25 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 8mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 400nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 9400pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 560W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-264AA (IXFK) |
Paquet / caisse | TO-264-3, TO-264AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFK120N25 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFK120N25-FT |
IXFK24N100F
IXYS-RF
IXFK360N15T2
IXYS
IXFK21N100F
IXYS-RF
IXFB100N50P
IXYS
IXFB80N50Q2
IXYS
IXFK170N25X3
IXYS
IXFB210N30P3
IXYS
IXFK55N50F
IXYS-RF
IXFL210N30P3
IXYS
IXFK98N50P3
IXYS
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel