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IXYS-RF IXFH6N100F

Name: IXFH6N100F
Brand: IXYS-RF
SKU: IXFH6N100F
Price: 7.064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (389 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFH6N100F

quantité disponible: 88720 Pièces

Prix de référence: USD 7.064

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS-RF

Brève description: HiPerRF™ MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFH6N100F.pdf

IXFH6N100F Caractéristiques

Référence fabricant	IXFH6N100F
Numéro de pièce future	FT-IXFH6N100F
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerRF™
IXFH6N100F Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	1000V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247 (IXFH)
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH6N100F Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFH6N100F-FT

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