maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFH52N50P2
Référence fabricant | IXFH52N50P2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFH52N50P2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™, PolarHV™ |
IXFH52N50P2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 52A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 26A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 4mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 113nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±30V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6800pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 960W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXFH) |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFH52N50P2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFH52N50P2-FT |
IXFT13N100
IXYS
IXFT13N80Q
IXYS
IXFT14N100
IXYS
IXFT15N100Q
IXYS
IXFT15N80Q
IXYS
IXFT16N90Q
IXYS
IXFT17N80Q
IXYS
IXFT20N60Q
IXYS
IXFT20N80Q
IXYS
IXFT21N50Q
IXYS
LFXP3C-4T144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C6N
Intel
10AX016C4U19I3SG
Intel
5SGSED6K2F40C2N
Intel
5CGXFC7B6M15I7N
Intel
EP4SGX530KH40C3NES
Intel
5SGXEA5K1F35I2N
Intel
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation