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IXYS IXFH20N80Q

Name: IXFH20N80Q
Brand: IXYS
SKU: IXFH20N80Q
Availability: InStock
Rating: 4.7 (770 reviews)

Numéro de pièce MFG: IXFH20N80Q

quantité disponible: 61020 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: IXYS

Brève description: HiPerFET™ MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IXFH20N80Q.pdf

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IXFH20N80Q Caractéristiques

Référence fabricant	IXFH20N80Q
Numéro de pièce future	FT-IXFH20N80Q
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HiPerFET™
IXFH20N80Q Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	200nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	360W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AD (IXFH)
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH20N80Q Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IXFH20N80Q-FT

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