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IXYS IXFH20N60Q

Numéro de pièce MFG
IXFH20N60Q
quantité disponible
92450 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
IXYS
Brève description
HiPerFET™ MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IXFH20N60Q.pdf
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IXFH20N60Q Caractéristiques

Référence fabricant IXFH20N60Q
Numéro de pièce future FT-IXFH20N60Q
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HiPerFET™
IXFH20N60Q Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 600V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 4mA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3300pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 300W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-247AD (IXFH)
Paquet / caisse TO-247-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IXFH20N60Q Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IXFH20N60Q-FT

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