maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IXFA3N80
Référence fabricant | IXFA3N80 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IXFA3N80 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HiPerFET™ |
IXFA3N80 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 3.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 685pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 100W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | TO-263 (IXFA) |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXFA3N80 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXFA3N80-FT |
IXFA36N30P3
IXYS
IXFA10N80P
IXYS
IXFA110N15T2
IXYS
IXFA12N50P
IXYS
IXFA12N65X2
IXYS
IXFA130N10T2
IXYS
IXFA130N15X3
IXYS
IXFA16N50P3
IXYS
IXFA16N60P3
IXYS
IXFA180N10T2
IXYS
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel