maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBH42N170
Référence fabricant | IXBH42N170 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBH42N170 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBH42N170 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 1700V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 80A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 300A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 42A |
Puissance - Max | 360W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 188nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.32µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXBH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBH42N170 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBH42N170-FT |
IXGA20N100
IXYS
IXGA20N120B
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LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S2000-4FG456I
Xilinx Inc.
XC3S1000L-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA150-FG144
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-3
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EP4CE6F17I8L
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