maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBH2N250
Référence fabricant | IXBH2N250 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBH2N250 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBH2N250 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 2500V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 5A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 13A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.5V @ 15V, 2A |
Puissance - Max | 32W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 10.6nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 920ns |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247AD (IXBH) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBH2N250 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBH2N250-FT |
IXGH50N90B2D1
IXYS
IXYH30N170C
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XA3S250E-4PQG208Q
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Xilinx Inc.
APA075-TQ100A
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LFE2M35E-6F672C
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EP4SGX360HF35C4N
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