maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBF50N360
Référence fabricant | IXBF50N360 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBF50N360 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBF50N360 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 70A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 420A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.9V @ 15V, 50A |
Puissance - Max | 290W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 210nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 46ns/205ns |
Condition de test | 960V, 50A, 5 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.7µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBF50N360 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBF50N360-FT |
IXGT30N120B3D1
IXYS
IXGT32N170
IXYS
IXGT32N170A
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