maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBF20N360
Référence fabricant | IXBF20N360 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBF20N360 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBF20N360 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 45A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 220A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.4V @ 15V, 20A |
Puissance - Max | 230W |
Énergie de commutation | 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 43nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 18ns/238ns |
Condition de test | 1500V, 20A, 10 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.7µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBF20N360 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBF20N360-FT |
IXGT32N170A
IXYS
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Intel
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation