maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - IGBT - Simples / IXBF12N300
Référence fabricant | IXBF12N300 |
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Numéro de pièce future | FT-IXBF12N300 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | BIMOSFET™ |
IXBF12N300 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type IGBT | - |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 3000V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 26A |
Courant - collecteur pulsé (Icm) | 98A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 12A |
Puissance - Max | 125W |
Énergie de commutation | - |
Type d'entrée | Standard |
Charge de la porte | 62nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | - |
Condition de test | - |
Temps de récupération inverse (trr) | 1.4µs |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | i4-Pac™-5 (3 Leads) |
Package d'appareils du fournisseur | ISOPLUS i4-PAC™ |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IXBF12N300 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IXBF12N300-FT |
IXGT6N170
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IXGT6N170AHV
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LCMXO2-2000HC-4TG144I
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
EP2C50F672C7
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XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XCKU035-1SFVA784C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA5G4F35C4N
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EP1S40F780C6N
Intel