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ON Semiconductor ISL9R8120S3ST

Name: ISL9R8120S3ST
Brand: ON Semiconductor
SKU: ISL9R8120S3ST
Availability: InStock
Rating: 4.5 (692 reviews)

Numéro de pièce MFG: ISL9R8120S3ST

quantité disponible: 62750 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: Stealth™ DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Diodes - Redresseurs - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ISL9R8120S3ST.pdf

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ISL9R8120S3ST Caractéristiques

Référence fabricant	ISL9R8120S3ST
Numéro de pièce future	FT-ISL9R8120S3ST
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	Stealth™
ISL9R8120S3ST Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de diode	Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max)	1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io)	8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si	3.3V @ 8A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	300ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F	30pF @ 10V, 1MHz
Type de montage	Surface Mount
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur	TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9R8120S3ST Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ISL9R8120S3ST-FT

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