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ON Semiconductor ISL9R8120S3ST
- Numéro de pièce MFG
- ISL9R8120S3ST
- quantité disponible
- 62750 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- ON Semiconductor
- Brève description
- Stealth™ DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Diodes - Redresseurs - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- ISL9R8120S3ST.pdf
ISL9R8120S3ST Caractéristiques
| Référence fabricant | ISL9R8120S3ST |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-ISL9R8120S3ST |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | Stealth™ |
| ISL9R8120S3ST Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de diode | Standard |
| Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
| Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 8A |
| Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 8A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 300ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Capacité @ Vr, F | 30pF @ 10V, 1MHz |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package d'appareils du fournisseur | TO-263AB |
| Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| ISL9R8120S3ST Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | ISL9R8120S3ST-FT |
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