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ON Semiconductor ISL9R8120S3ST

Numéro de pièce MFG
ISL9R8120S3ST
quantité disponible
62750 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
Stealth™ DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Diodes - Redresseurs - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
ISL9R8120S3ST.pdf
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ISL9R8120S3ST Caractéristiques

Référence fabricant ISL9R8120S3ST
Numéro de pièce future FT-ISL9R8120S3ST
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries Stealth™
ISL9R8120S3ST Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de diode Standard
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) 1200V
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) 8A
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si 3.3V @ 8A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 300ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 100µA @ 1200V
Capacité @ Vr, F 30pF @ 10V, 1MHz
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Package d'appareils du fournisseur TO-263AB
Température de fonctionnement - Jonction -55°C ~ 150°C
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9R8120S3ST Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange ISL9R8120S3ST-FT

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