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ON Semiconductor ISL9N302AS3

Name: ISL9N302AS3
Brand: ON Semiconductor
SKU: ISL9N302AS3
Availability: InStock
Rating: 4.6 (99 reviews)

Numéro de pièce MFG: ISL9N302AS3

quantité disponible: 54930 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: ON Semiconductor

Brève description: UltraFET™ MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: ISL9N302AS3.pdf

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ISL9N302AS3 Caractéristiques

Référence fabricant	ISL9N302AS3
Numéro de pièce future	FT-ISL9N302AS3
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	UltraFET™
ISL9N302AS3 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	75A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	300nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	11000pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	345W (Tc)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
ISL9N302AS3 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	ISL9N302AS3-FT

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