maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / ISL9K8120P3
Référence fabricant | ISL9K8120P3 |
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Numéro de pièce future | FT-ISL9K8120P3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Stealth™ |
ISL9K8120P3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 8A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 8A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 44ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9K8120P3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISL9K8120P3-FT |
MBR3035PT
ON Semiconductor
MBR3040CTP
Diodes Incorporated
MBR3045PT
ON Semiconductor
MBR3045PTG
ON Semiconductor
MBR4035PT
ON Semiconductor
MBR4045PT
ON Semiconductor
MBR4045PTG
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RURG3060CC-F085
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FFPF20UP60DNTU
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EX128-FTQ64
Microsemi Corporation
EP1K10TC144-2
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XC3S200-4FT256I
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XCVU080-2FFVD1517E
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XC6VLX195T-2FFG1156C
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Microsemi Corporation
5AGXMA3D4F31C5N
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EPF10K50SQC208-3N
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