maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / ISL9K30120G3
Référence fabricant | ISL9K30120G3 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-ISL9K30120G3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Stealth™ |
ISL9K30120G3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 30A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 30A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 100ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9K30120G3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISL9K30120G3-FT |
DSA30C100PB
IXYS
DSA30C150PB
IXYS
DSA30C200PB
IXYS
DSA30C45PB
IXYS
DSA30C60PB
IXYS
DSA60C100PB
IXYS
DSA60C45PB
IXYS
DSA60C60PB
IXYS
DSB30C30PB
IXYS
DSB30C45PB
IXYS
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel