maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / ISL9K18120G3
Référence fabricant | ISL9K18120G3 |
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Numéro de pièce future | FT-ISL9K18120G3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Stealth™ |
ISL9K18120G3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 18A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 3.3V @ 18A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 70ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 100µA @ 1200V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-247-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-247 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISL9K18120G3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISL9K18120G3-FT |
DSA20C45PB
IXYS
DSA30C100PB
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IXYS
AT6002A-4AI
Microchip Technology
M2GL025T-1VFG400I
Microsemi Corporation
10CX085YU484I5G
Intel
10M08DCF256I7G
Intel
5SGSMD8K2F40I2LN
Intel
XC4VSX35-10FFG668C
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XC7A50T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
AGLP125V5-CSG289I
Microsemi Corporation
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EPF10K10QI208-4N
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