maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / ISC1812EB1R2J
Référence fabricant | ISC1812EB1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1812EB1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1812 |
ISC1812EB1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 429mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 380 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 120MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1812 (4532 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1812 |
Taille / Dimension | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.134" (3.40mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1812EB1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1812EB1R2J-FT |
ISC1812BN151K
Vishay Dale
ISC1812BN180J
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XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel