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Référence fabricant | ISC1210SY1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-ISC1210SY1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | ISC-1210 |
ISC1210SY1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Iron Powder |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 390mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 650 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 110MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.96MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 1210 (3225 Metric) |
Package d'appareils du fournisseur | 1210 |
Taille / Dimension | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.095" (2.41mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ISC1210SY1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ISC1210SY1R2J-FT |
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Microsemi Corporation
EP20K200CF484C7
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EP4SE820H40I4
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
XC4013XL-3BG256I
Xilinx Inc.
ICE40LP1K-CM121
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EPF6016QC208-3
Intel